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ZX5T849GTA

ZX5T849GTA

僅供參考

型號 ZX5T849GTA
PNEDA編號 ZX5T849GTA
描述 TRANS NPN 30V 7A SOT-223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 14,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZX5T849GTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZX5T849GTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZX5T849GTA, ZX5T849GTA數據表 (總頁數: 6, 大小: 120 KB)
PDFZX5T849GTA數據表 封面
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ZX5T849GTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic220mV @ 300mA, 6.5A
當前-集電極截止(最大值)20nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 1V
功率-最大3W
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 80mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5A, 1V

功率-最大

60W

頻率-過渡

25MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3 Full Pack

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

3.5W

頻率-過渡

330MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 60mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

280 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 10A, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 25A, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

2MHz

工作溫度

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安裝類型

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