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ZX5T851GTA

ZX5T851GTA

僅供參考

型號 ZX5T851GTA
PNEDA編號 ZX5T851GTA
描述 TRANS NPN 60V 6A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 155,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZX5T851GTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZX5T851GTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZX5T851GTA, ZX5T851GTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 486.08 KB)
PDFZX5T851GTA數據表 封面
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ZX5T851GTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic260mV @ 300mA, 6A
當前-集電極截止(最大值)20nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 2A, 1V
功率-最大3W
頻率-過渡130MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 1mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 25mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

75MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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