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ZX5T949GTA

ZX5T949GTA

僅供參考

型號 ZX5T949GTA
PNEDA編號 ZX5T949GTA
描述 TRANS PNP 30V 5.5A SOT-223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZX5T949GTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZX5T949GTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZX5T949GTA, ZX5T949GTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 492.93 KB)
PDFZX5T949GTA數據表 封面
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ZX5T949GTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic210mV @ 500mA, 5.5A
當前-集電極截止(最大值)20nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 1V
功率-最大3W
頻率-過渡110MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 2A, 3V

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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2A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

280MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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