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ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA

僅供參考

型號 ZXMC3F31DN8TA
PNEDA編號 ZXMC3F31DN8TA
描述 MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 16,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMC3F31DN8TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMC3F31DN8TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMC3F31DN8TA, ZXMC3F31DN8TA數據表 (總頁數: 11, 大小: 326.21 KB)
PDFZXMC3F31DN8TA數據表 封面
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ZXMC3F31DN8TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.8A, 4.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds608pF @ 15V
功率-最大1.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.55nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

21.3pF @ 10V

功率-最大

380mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4507pF @ 25V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 5V

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