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ZXMD63C02XTC

ZXMD63C02XTC

僅供參考

型號 ZXMD63C02XTC
PNEDA編號 ZXMD63C02XTC
描述 MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP
制造商 Diodes Incorporated
單價
1 ---------- $1.8088
250 ---------- $1.7240
500 ---------- $1.6392
1,000 ---------- $1.5544
2,500 ---------- $1.4838
5,000 ---------- $1.4131
庫存 410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMD63C02XTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMD63C02XTC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMD63C02XTC, ZXMD63C02XTC數據表 (總頁數: 11, 大小: 322.82 KB)
PDFZXMD63C02XTC數據表 封面
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ZXMD63C02XTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 15V
功率-最大1.04W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝8-MSOP

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

841pF @ 10V

功率-最大

870mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A, 1.95A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

205pF @ 20V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 15V

功率-最大

2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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