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ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

僅供參考

型號 ZXMHC6A07T8TA
PNEDA編號 ZXMHC6A07T8TA
描述 MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 42,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMHC6A07T8TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMHC6A07T8TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMHC6A07T8TA, ZXMHC6A07T8TA數據表 (總頁數: 10, 大小: 882.16 KB)
PDFZXMHC6A07T8TA數據表 封面
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ZXMHC6A07T8TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A, 1.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds166pF @ 40V
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-223-8
供應商設備包裝SM8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

492nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

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13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

635pF @ 15V

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