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ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

僅供參考

型號 ZXMN10A11GTC
PNEDA編號 ZXMN10A11GTC
描述 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN10A11GTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN10A11GTC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZXMN10A11GTC, ZXMN10A11GTC數據表 (總頁數: 8, 大小: 570.29 KB)
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ZXMN10A11GTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs350mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds274pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4840pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 30A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

+10V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

96W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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