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ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA

僅供參考

型號 ZXMN2A04DN8TA
PNEDA編號 ZXMN2A04DN8TA
描述 MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN2A04DN8TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN2A04DN8TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMN2A04DN8TA, ZXMN2A04DN8TA數據表 (總頁數: 7, 大小: 179.46 KB)
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ZXMN2A04DN8TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22.1nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1880pF @ 10V
功率-最大1.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

531pF @ 10V

功率-最大

710mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

47A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 100V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A, 4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

501pF @ 15V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 100V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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