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ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

僅供參考

型號 ZXMN3A06DN8TC
PNEDA編號 ZXMN3A06DN8TC
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN3A06DN8TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN3A06DN8TC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMN3A06DN8TC, ZXMN3A06DN8TC數據表 (總頁數: 7, 大小: 187.18 KB)
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ZXMN3A06DN8TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds796pF @ 25V
功率-最大1.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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23A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4230pF @ 20V

功率-最大

2.1W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

118A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 25V

功率-最大

4W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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