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ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

僅供參考

型號 ZXMN3F31DN8TA
PNEDA編號 ZXMN3F31DN8TA
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 18,168
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN3F31DN8TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN3F31DN8TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMN3F31DN8TA, ZXMN3F31DN8TA數據表 (總頁數: 8, 大小: 427.96 KB)
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ZXMN3F31DN8TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds608pF @ 15V
功率-最大1.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 880mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

750mV @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.26nC @ 2.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

功率-最大

3W (Ta), 50W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

74A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.01mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3340pF @ 13V

功率-最大

26W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

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