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ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

僅供參考

型號 ZXMN6A11DN8TA
PNEDA編號 ZXMN6A11DN8TA
描述 MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 35,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN6A11DN8TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN6A11DN8TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMN6A11DN8TA, ZXMN6A11DN8TA數據表 (總頁數: 8, 大小: 649.62 KB)
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ZXMN6A11DN8TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 40V
功率-最大1.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3241pF @ 15V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1286pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26.7mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1395pF @ 30V

功率-最大

34W

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 6.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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