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ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

僅供參考

型號 ZXMNS3BM832TA
PNEDA編號 ZXMNS3BM832TA
描述 MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMNS3BM832TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMNS3BM832TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZXMNS3BM832TA, ZXMNS3BM832TA數據表 (總頁數: 5, 大小: 125.55 KB)
PDFZXMNS3BM832TA數據表 封面
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ZXMNS3BM832TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.9nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds314pF @ 15V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-MLP, MicroFET (3x2)
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A (Ta), 16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

815pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 34µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3785pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 78A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.46nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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