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ZXT10P20DE6QTA

ZXT10P20DE6QTA

僅供參考

型號 ZXT10P20DE6QTA
PNEDA編號 ZXT10P20DE6QTA
描述 PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT26
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXT10P20DE6QTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXT10P20DE6QTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXT10P20DE6QTA, ZXT10P20DE6QTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 367.6 KB)
PDFZXT10P20DE6QTA數據表 封面
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  • ZXT10P20DE6QTA Distributor

ZXT10P20DE6QTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 5V

功率-最大

10W

頻率-過渡

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2A, 15V

功率-最大

3W

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 200mA

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100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 2V

功率-最大

800mW

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工作溫度

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