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ZXT12N50DXTC

ZXT12N50DXTC

僅供參考

型號 ZXT12N50DXTC
PNEDA編號 ZXT12N50DXTC
描述 TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXT12N50DXTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXT12N50DXTC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZXT12N50DXTC, ZXT12N50DXTC數據表 (總頁數: 6, 大小: 261.72 KB)
PDFZXT12N50DXTC數據表 封面
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ZXT12N50DXTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 50mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 1A, 2V
功率-最大1.04W
頻率-過渡132MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝8-MSOP

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7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V / 100 @ 10mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

200MHz, 250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

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