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ZXT12P20DXTA

ZXT12P20DXTA

僅供參考

型號 ZXT12P20DXTA
PNEDA編號 ZXT12P20DXTA
描述 TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXT12P20DXTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXT12P20DXTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZXT12P20DXTA, ZXT12P20DXTA數據表 (總頁數: 6, 大小: 255.61 KB)
PDFZXT12P20DXTC數據表 封面
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ZXT12P20DXTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)2.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 125mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 1A, 2V
功率-最大1.04W
頻率-過渡110MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝8-MSOP

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Diodes Incorporated

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NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

4.5A, 4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V, 12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz, 110MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

140mV @ 20mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 300mA, 2V

功率-最大

1.77W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Central Semiconductor Corp

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10µA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

40MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

90mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 2V

功率-最大

510mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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