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ZXTBM322TA

ZXTBM322TA

僅供參考

型號 ZXTBM322TA
PNEDA編號 ZXTBM322TA
描述 TRANS NPN 20V 4.5A 2X2MM 3-MLP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 3 - 四月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTBM322TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTBM322TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTBM322TA, ZXTBM322TA數據表 (總頁數: 6, 大小: 385.52 KB)
PDFZXTBM322TA數據表 封面
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ZXTBM322TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic270mV @ 125mA, 4.5A
當前-集電極截止(最大值)25nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2A, 2V
功率-最大3W
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-PowerSMD, Flat Leads
供應商設備包裝3-MLP/DFN (2x2)

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-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

*

晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

144 @ 50mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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