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ZXTN19100CGTA

ZXTN19100CGTA

僅供參考

型號 ZXTN19100CGTA
PNEDA編號 ZXTN19100CGTA
描述 TRANS NPN 100V 5.5A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 10 - 二月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTN19100CGTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTN19100CGTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTN19100CGTA, ZXTN19100CGTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 498.26 KB)
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ZXTN19100CGTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic430mV @ 550mA, 5.5A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大3W
頻率-過渡150MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 250mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 600mA, 3V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

8V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

2MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

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300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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