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ZXTP2014GTA

ZXTP2014GTA

僅供參考

型號 ZXTP2014GTA
PNEDA編號 ZXTP2014GTA
描述 TRANS PNP 140V 4A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 54,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTP2014GTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTP2014GTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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ZXTP2014GTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)140V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic360mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)20nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 5V
功率-最大3W
頻率-過渡120MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

3W

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 5A, 20A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5A, 4V

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