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ZXTS1000E6TC

ZXTS1000E6TC

僅供參考

型號 ZXTS1000E6TC
PNEDA編號 ZXTS1000E6TC
描述 TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,362
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 19 - 六月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTS1000E6TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTS1000E6TC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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ZXTS1000E6TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP + Diode (Isolated)
當前-集電極(Ic)(最大值)1.25A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic240mV @ 100mA, 1.25A
當前-集電極截止(最大值)10nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大885mW
頻率-過渡220MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝SOT-23-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 5A, 4V

功率-最大

3.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 2V

功率-最大

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