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MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 36G MLC DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,982
MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 36G MLC DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,130
MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4 Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 36G MLC DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,838
MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4 TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 36G MLC DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,604
MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 38G MLC DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,362
MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 38G MLC DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,038
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H Micron Technology Inc.	內存 SLC EMMC/LPDDR2 36G 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-VFBGA 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)	庫存3,580
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR Micron Technology Inc.	內存 SLC EMMC/LPDDR2 36G 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-VFBGA 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)	庫存3,454
MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H TR Micron Technology Inc.	內存 MOD EMMC NAND 4GB 162VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-VFBGA 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)	庫存3,276
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 36G SLC DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,226
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 36G SLC DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,880
MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W.94L TR Micron Technology Inc.	內存 MOD EMMC NAND 4GB 162VFBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,524
MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 72G SLC DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,554
MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 72G SLC DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,172
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 1.5G DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,552
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 1.5G DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,208
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 121-WFBGA 供應商設備包裝: 121-WFBGA (7.5x8)	庫存5,202
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 121-WFBGA 供應商設備包裝: 121-WFBGA (7.5x8)	庫存7,110
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 121-WFBGA 供應商設備包裝: 121-VFBGA (8x7.5)	庫存5,904
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 121-WFBGA 供應商設備包裝: 121-VFBGA (8x7.5)	庫存12,234
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 121-WFBGA 供應商設備包裝: 121-VFBGA (8x7.5)	庫存7,488
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 121-WFBGA 供應商設備包裝: 121-VFBGA (8x7.5)	庫存4,554
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 1.5G DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 121-WFBGA 供應商設備包裝: 121-VFBGA (8x7.5)	庫存4,266
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 1.5G DDR 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 121-WFBGA 供應商設備包裝: 121-VFBGA (8x7.5)	庫存4,734
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存3,582
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存3,294
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存2,916
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存5,184
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存3,060
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH, RAM 技術: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 內存大小: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.8V 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 162-VFBGA 供應商設備包裝: 162-VFBGA (10.5x8)	庫存6,966

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