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描述
庫存
數量
MT41K128M16JT-125 V:K
MT41K128M16JT-125 V:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存7,470
MT41K128M16JT-125 V:K TR
MT41K128M16JT-125 V:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存4,896
MT41K128M16JT-125 XIT:K
MT41K128M16JT-125 XIT:K

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存20,046
MT41K128M16JT-125 XIT:K TR
MT41K128M16JT-125 XIT:K TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 2Gb (128M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存7,488
MT41K128M16V89C3WC1
MT41K128M16V89C3WC1

Micron Technology Inc.

內存

DDR3 2G DIE 128MX16

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: *
  • 內存類型: -
  • 內存格式: -
  • 技術: -
  • 內存大小: -
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,076
MT41K128M8DA-107 AIT:J
MT41K128M8DA-107 AIT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q100
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (128M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)
庫存7,884
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q100
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (128M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)
庫存2,142
MT41K128M8DA-107 IT:J
MT41K128M8DA-107 IT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (128M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)
庫存4,698
MT41K128M8DA-107 IT:J TR
MT41K128M8DA-107 IT:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (128M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)
庫存2,106
MT41K128M8DA-107:J
MT41K128M8DA-107:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (128M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)
庫存20,991
MT41K128M8DA-107:J TR
MT41K128M8DA-107:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (128M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)
庫存13,032
MT41K128M8JP-125:G
MT41K128M8JP-125:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (128M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x11.5)
庫存8,442
MT41K128M8JP-125:G TR
MT41K128M8JP-125:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (128M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x11.5)
庫存2,052
MT41K128M8JP-15E:G
MT41K128M8JP-15E:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3
  • 內存大小: 1Gb (128M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 667MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.5ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x11.5)
庫存6,444
MT41K1G16DGA-125:A
MT41K1G16DGA-125:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 800MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 16Gb (1G x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (9.5x14)
庫存7,128
MT41K1G16DGA-125:A TR
MT41K1G16DGA-125:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 16Gb (1G x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (9.5x14)
庫存8,136
MT41K1G4DA-107:P
MT41K1G4DA-107:P

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)
庫存8,040
MT41K1G4DA-107:P TR
MT41K1G4DA-107:P TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)
庫存5,472
MT41K1G4RG-107:N
MT41K1G4RG-107:N

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (7.5x10.6)
庫存7,452
MT41K1G4RG-107:N TR
MT41K1G4RG-107:N TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (7.5x10.6)
庫存4,140
MT41K1G4RH-107:E
MT41K1G4RH-107:E

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x10.5)
庫存7,884
MT41K1G4RH-107:E TR
MT41K1G4RH-107:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x10.5)
庫存4,158
MT41K1G4RH-125:E
MT41K1G4RH-125:E

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x10.5)
庫存5,490
MT41K1G4RH-125:E TR
MT41K1G4RH-125:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x10.5)
庫存2,700
MT41K1G4THD-15E:D
MT41K1G4THD-15E:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 667MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.5ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)
庫存8,856
MT41K1G4THD-187E:D
MT41K1G4THD-187E:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.125ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)
庫存5,220
MT41K1G4THV-125:M
MT41K1G4THV-125:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x11.5)
庫存2,952
MT41K1G4THV-15E:M
MT41K1G4THV-15E:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3
  • 內存大小: 4Gb (1G x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 667MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.5ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x11.5)
庫存8,316
MT41K1G8RKB-107:N
MT41K1G8RKB-107:N

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 8Gb (1G x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)
庫存6,444
MT41K1G8RKB-107:N TR
MT41K1G8RKB-107:N TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 8Gb (1G x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (8x10.5)
庫存8,712