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內存IC

記錄 47,332
頁面 1129/1578
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型號
描述
庫存
數量
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (512M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x10.5)
庫存7,524
MT41K512M8THD-15E:D
MT41K512M8THD-15E:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3
  • 內存大小: 4Gb (512M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 667MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.5ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 78-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 78-FBGA (9x11.5)
庫存3,420
MT41K512M8V00HWC1
MT41K512M8V00HWC1

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL DIE

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (512M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,174
MT41K512M8V00HWC1-N001
MT41K512M8V00HWC1-N001

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (512M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存8,838
MT41K512M8V00HWC1-N002
MT41K512M8V00HWC1-N002

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (512M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存7,992
MT41K512M8V80AWC1
MT41K512M8V80AWC1

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL DIE

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (512M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,408
MT41K512M8V90BWC1
MT41K512M8V90BWC1

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 4Gb (512M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存7,704
MT41K64M16JT-125:G
MT41K64M16JT-125:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存11,676
MT41K64M16JT-125:G TR
MT41K64M16JT-125:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存4,248
MT41K64M16JT-15E:G
MT41K64M16JT-15E:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 667MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.5ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存927
MT41K64M16JT-15E:G TR
MT41K64M16JT-15E:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 667MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.5ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存2,448
MT41K64M16TW-107 AAT:J
MT41K64M16TW-107 AAT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q100
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存7,830
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q100
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存7,056
MT41K64M16TW-107 AIT:J
MT41K64M16TW-107 AIT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q100
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存3,996
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q100
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存31,920
MT41K64M16TW-107 AUT:J
MT41K64M16TW-107 AUT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 933MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q100
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存5,238
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q100
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存6,678
MT41K64M16TW-107 IT:J
MT41K64M16TW-107 IT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存3,418
MT41K64M16TW-107 IT:J TR
MT41K64M16TW-107 IT:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存7,524
MT41K64M16TW-107:J
MT41K64M16TW-107:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存39,314
MT41K64M16TW-107:J TR
MT41K64M16TW-107:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存3,492
MT41K64M16TW-107 XIT:J
MT41K64M16TW-107 XIT:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存7,704
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存8,118
MT41K64M16TW-125:J
MT41K64M16TW-125:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 800MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存7,578
MT41K64M16TW-125:J TR
MT41K64M16TW-125:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 96-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 96-FBGA (8x14)
庫存8,964
MT41K64M16V88AWC1
MT41K64M16V88AWC1

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 800MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR3L
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 13.75ns
  • 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,268
MT42L128M32D1GU-18 WT:A
MT42L128M32D1GU-18 WT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.3V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存3,816
MT42L128M32D1GU-18 WT:A TR
MT42L128M32D1GU-18 WT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.3V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存6,084
MT42L128M32D1GU-25 WT:A
MT42L128M32D1GU-25 WT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.3V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存4,698
MT42L128M32D1GU-25 WT:A TR
MT42L128M32D1GU-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.14V ~ 1.3V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 134-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 134-FBGA (10x11.5)
庫存7,362