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型號	描述	庫存
MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,514
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,218
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,058
MT53E384M32D2DS-046 AUT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,876
MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,380
MT53E384M32D2DS-046 WT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,724
MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,634
MT53E384M32D2DS-053 AAT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1.866GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,642
MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1.866GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,380
MT53E384M32D2DS-053 AIT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1.866GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,438
MT53E384M32D2DS-053 AIT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1.866GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,772
MT53E384M32D2DS-053 AUT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1.866GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,968
MT53E384M32D2DS-053 AUT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1.866GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,424
MT53E384M32D2DS-053 WT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1.866GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,608
MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1.866GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,964
MT53E512M32D2NP-046 Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,778
MT53E512M32D2NP-046 TR Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,840
MT53E512M32D2NP-046 WT:E Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存354
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,086
MT53E512M64D4NK-046 WT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 BGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存585
MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 BGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,640
MT53E512M64D4NK-053 WT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,336
MT53E512M64D4NK-053 WT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,830
MT53E512M64D4NW-046 WT:E Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,100
MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,556
MT53E512M64D4NW-053 WT:E Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,958
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,150
MT53E768M32D4DT-046 AAT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 24Gb (768M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,974
MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 24Gb (768M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,472
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 24Gb (768M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,380

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