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70T631S12BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T631S15BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T631S15BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T633S10BC

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T633S10BCGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T633S10BF

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T633S10BFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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