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型號	描述	庫存
W632GG8MB-12 Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (10.5x8)	庫存6,408
W632GG8MB12I Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (10.5x8)	庫存2,538
W632GG8MB12I TR Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (10.5x8)	庫存2,196
W632GG8MB-12 TR Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (10.5x8)	庫存3,528
W632GG8MB-15 Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (10.5x8)	庫存6,696
W632GG8MB15I Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (10.5x8)	庫存7,722
W632GG8MB15I TR Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (10.5x8)	庫存4,500
W632GG8MB-15 TR Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (10.5x8)	庫存8,064
W632GG8NB-09 Winbond Electronics	內存 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1.067GHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (8x10.5)	庫存7,434
W632GG8NB09I Winbond Electronics	內存 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1.067GHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (8x10.5)	庫存5,994
W632GG8NB-11 Winbond Electronics	內存 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (8x10.5)	庫存2,412
W632GG8NB11I Winbond Electronics	內存 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (8x10.5)	庫存3,384
W632GG8NB-12 Winbond Electronics	內存 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (8x10.5)	庫存4,968
W632GG8NB12I Winbond Electronics	內存 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (8x10.5)	庫存3,508
W632GG8NB-15 Winbond Electronics	內存 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (8x10.5)	庫存2,016
W632GG8NB15I Winbond Electronics	內存 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-VFBGA 供應商設備包裝: 78-VFBGA (8x10.5)	庫存5,832
W632GU6AB-11 Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,274
W632GU6AB-12 Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,974
W632GU6AB-15 Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,104
W632GU6KB-11 Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-WBGA (9x13)	庫存7,992
W632GU6KB11I Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 933MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-WBGA (9x13)	庫存7,938
W632GU6KB-12 Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-WBGA (9x13)	庫存6,318
W632GU6KB12I Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-WBGA (9x13)	庫存6,606
W632GU6KB12I TR Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-WBGA (9x13)	庫存3,222
W632GU6KB12J Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-WBGA (9x13)	庫存2,880
W632GU6KB-12 TR Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-WBGA (9x13)	庫存7,236
W632GU6KB-15 Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-WBGA (9x13)	庫存160
W632GU6KB15I Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-WBGA (9x13)	庫存4,608
W632GU6KB15I TR Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-WBGA (9x13)	庫存6,750
W632GU6KB-15 TR Winbond Electronics	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 制造商: Winbond Electronics 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (128M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-WBGA (9x13)	庫存8,982

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