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W987D2HBJX6E

Winbond Electronics

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IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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Winbond Electronics

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IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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Winbond Electronics

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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Winbond Electronics

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IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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Winbond Electronics

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IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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Winbond Electronics

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IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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Winbond Electronics

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IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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Winbond Electronics

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IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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Winbond Electronics

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IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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W989D2DBJX6I

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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Winbond Electronics

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)

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W989D6DBGX6I

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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Winbond Electronics

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x9)

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W98AD2KBJX6E

Winbond Electronics

內存

IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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W98AD2KBJX6E TR

Winbond Electronics

內存

1GB MSDR X32 166MHZ

• 制造商: Winbond Electronics
• 系列: -
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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