內存IC

型號	描述	庫存
70V7519S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存7,776
70V7519S133BFI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存5,814
70V7519S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存6,444
70V7519S133DR IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存3,312
70V7519S133DRI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存2,628
70V7519S133DRI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存3,456
70V7519S166BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存6,624
70V7519S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存5,760
70V7519S166BCI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存5,364
70V7519S166BCI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存8,190
70V7519S166BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存5,688
70V7519S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存8,064
70V7519S166DR IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存4,626
70V7519S166DRI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存4,770
70V7519S166DRI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存6,678
70V7519S200BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.4ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存4,914
70V7519S200BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.4ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存4,194
70V7519S200BCG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.4ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存3,888
70V7519S200BCG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.4ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存3,852
70V7599S133BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存7,200
70V7599S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存3,582
70V7599S133BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存8,820
70V7599S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存8,946
70V7599S133DR IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存2,880
70V7599S166BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存5,598
70V7599S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存8,640
70V7599S166BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存4,932
70V7599S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存2,844
70V7599S166DR IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存8,442
70V7599S200BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.4ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存2,394

70V7519S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存7,776

70V7519S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存5,814

70V7519S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存6,444

70V7519S133DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存3,312

70V7519S133DRI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存2,628

70V7519S133DRI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存3,456

70V7519S166BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存6,624

70V7519S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存5,760

70V7519S166BCI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存5,364

70V7519S166BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存8,190

70V7519S166BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存5,688

70V7519S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存8,064

70V7519S166DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存4,626

70V7519S166DRI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存4,770

70V7519S166DRI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存6,678

70V7519S200BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.4ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存4,914

70V7519S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.4ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存4,194

70V7519S200BCG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.4ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存3,888

70V7519S200BCG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.4ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存3,852

70V7599S133BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存7,200

70V7599S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存3,582

70V7599S133BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存8,820

70V7599S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存8,946

70V7599S133DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存2,880

70V7599S166BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存5,598

70V7599S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存8,640

70V7599S166BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存4,932

70V7599S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存2,844

70V7599S166DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存8,442

70V7599S200BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.4ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存2,394

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