晶體管

型號	描述	庫存
DMN3042L-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 720mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存353,202
DMN3042LFDF-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存7,866
DMN3042LFDF-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存6,066
DMN3050S-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,366
DMN3051L-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存134,898
DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4A SOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-26 包裝/箱: SOT-23-6	庫存6,516
DMN3052L-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,912
DMN3052LSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,268
DMN3053L-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 676pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 760mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,454
DMN3053L-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 676pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 760mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存99,468
DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 25V-30V X4-DSN1006 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,052
DMN3065LW-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 770mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存3,888
DMN3065LW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 770mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存1,550,598
DMN3067LW-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 447pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存7,794
DMN3067LW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 447pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存19,750
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 697pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 780mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-59 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,968
DMN3071LFR4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1010 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,996
DMN3071LFR4-7R Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1010 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,086
DMN30H14DLY-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 96pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89 包裝/箱: TO-243AA	庫存1,776
DMN30H4D0L-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V .25A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 187.3pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,508
DMN30H4D0L-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 187.3pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存23,970
DMN30H4D0LFDE-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 187.3pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 630mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存7,398
DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 187.3pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 630mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存307,758
DMN30H4D1S-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 251V-500V SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,718
DMN30H4D1S-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 251V-500V SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,172
DMN3110LCP3-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 69mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.52nC @ 4.5V Vgs（最大）: 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.38W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: X2-DFN1006-3 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存5,400
DMN3110S-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 305.8pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存29,448
DMN3112S-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 268pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,668
DMN3112SSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 268pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,772
DMN3115UDM-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 476pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-26 包裝/箱: SOT-23-6	庫存25,938

DMN3042L-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 720mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存353,202

DMN3042LFDF-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存7,866

DMN3042LFDF-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存6,066

DMN3050S-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,366

DMN3051L-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存134,898

DMN3051LDM-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4A SOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-26
包裝/箱: SOT-23-6

庫存6,516

DMN3052L-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,912

DMN3052LSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,268

DMN3053L-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 676pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 760mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,454

DMN3053L-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 676pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 760mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存99,468

DMN3060LCA3-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 25V-30V X4-DSN1006

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,052

DMN3065LW-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 770mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存3,888

DMN3065LW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 770mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存1,550,598

DMN3067LW-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 447pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存7,794

DMN3067LW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 447pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存19,750

DMN3070SSN-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 697pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-59
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,968

DMN3071LFR4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1010

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,996

DMN3071LFR4-7R

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1010

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,086

DMN30H14DLY-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 96pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89
包裝/箱: TO-243AA

庫存1,776

DMN30H4D0L-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 187.3pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,508

DMN30H4D0L-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 187.3pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存23,970

DMN30H4D0LFDE-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 187.3pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 630mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存7,398

DMN30H4D0LFDE-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 187.3pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 630mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存307,758

DMN30H4D1S-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 251V-500V SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,718

DMN30H4D1S-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 251V-500V SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,172

DMN3110LCP3-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 69mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.52nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.38W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: X2-DFN1006-3
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存5,400

DMN3110S-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 305.8pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存29,448

DMN3112S-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 268pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,668

DMN3112SSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 268pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,772

DMN3115UDM-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 476pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-26
包裝/箱: SOT-23-6

庫存25,938

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