晶體管

型號	描述	庫存
DMNH6042SPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 60V 25A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta), 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,762
DMNH6042SPDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta), 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存26,130
DMNH6042SPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 60V 24A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,726
DMNH6042SPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 24A POWERDI5060 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,752
DMP1005UFDF-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2475pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存3,978
DMP1005UFDF-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2475pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存23,298
DMP1007UCB9-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1515-9 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,858
DMP1008UCA9-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DSN1515- 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,294
DMP1009UFDF-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1860pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存8,658
DMP1009UFDF-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1860pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存3,582
DMP1009UFDFQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,354
DMP1009UFDFQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,376
DMP1011LFV-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 6V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 913pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.16W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,448
DMP1011LFV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 6V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 913pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.16W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,150
DMP1011UCB9-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 890mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-WLB1515-9 包裝/箱: 9-UFBGA, WLBGA	庫存22,416
DMP1012UCB9-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 10A 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 890mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-WLB1515-9 包裝/箱: 9-UFBGA, WLBGA	庫存4,518
DMP1012UFDF-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta), 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1344pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 720mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存7,902
DMP1012UFDF-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta), 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1344pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 720mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存3,510
DMP1012USS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2. 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,474
DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2953pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 660mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存3,843,066
DMP1022UFDEQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2953pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 660mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E) 包裝/箱: 6-PowerUDFN	庫存2,304
DMP1022UFDF-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2712pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 730mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存6,534
DMP1022UFDF-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.3nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2712pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 730mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存2,880
DMP1022UWS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN3020-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2847pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: V-DFN3020-8 包裝/箱: 8-VDFN	庫存4,986
DMP1022UWS-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN3020-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2847pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: V-DFN3020-8 包裝/箱: 8-VDFN	庫存3,024
DMP1045U-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1357pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存272,742
DMP1045UFY4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.7nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1291pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: - 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存179,760
DMP1045UQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1357pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,302
DMP1055USW-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1028pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 660mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-363 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存6,912
DMP1055USW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1028pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 660mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-363 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存3,526

DMNH6042SPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 60V 25A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,762

DMNH6042SPDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存26,130

DMNH6042SPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 60V 24A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,726

DMNH6042SPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 24A POWERDI5060

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,752

DMP1005UFDF-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2475pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存3,978

DMP1005UFDF-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2475pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存23,298

DMP1007UCB9-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1515-9

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,858

DMP1008UCA9-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DSN1515-

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,294

DMP1009UFDF-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1860pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存8,658

DMP1009UFDF-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1860pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存3,582

DMP1009UFDFQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,354

DMP1009UFDFQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,376

DMP1011LFV-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 6V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 913pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.16W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,448

DMP1011LFV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 6V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 913pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.16W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,150

DMP1011UCB9-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-WLB1515-9
包裝/箱: 9-UFBGA, WLBGA

庫存22,416

DMP1012UCB9-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 10A

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-WLB1515-9
包裝/箱: 9-UFBGA, WLBGA

庫存4,518

DMP1012UFDF-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1344pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 720mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存7,902

DMP1012UFDF-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1344pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 720mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存3,510

DMP1012USS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,474

DMP1022UFDE-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2953pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 660mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存3,843,066

DMP1022UFDEQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2953pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 660mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E)
包裝/箱: 6-PowerUDFN

庫存2,304

DMP1022UFDF-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2712pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 730mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存6,534

DMP1022UFDF-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.3nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2712pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 730mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存2,880

DMP1022UWS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN3020-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2847pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: V-DFN3020-8
包裝/箱: 8-VDFN

庫存4,986

DMP1022UWS-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN3020-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2847pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: V-DFN3020-8
包裝/箱: 8-VDFN

庫存3,024

DMP1045U-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 4A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1357pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存272,742

DMP1045UFY4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.7nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1291pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: -
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存179,760

DMP1045UQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1357pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,302

DMP1055USW-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1028pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 660mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-363
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存6,912

DMP1055USW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1028pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 660mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-363
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存3,526

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