晶體管

型號	描述	庫存
FDD9407_SN00283 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 227W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-PAK (TO-252AA) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,184
FDD9409-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A TO252 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3130pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-PAK (TO-252) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,750
FDD9409L-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3360pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,456
FDD9410-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 50A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1715pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-PAK (TO-252) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,482
FDD9410L-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO252 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1960pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,436
FDD9411-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 15A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 48.4W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-PAK (TO-252) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,174
FDD9411L-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NMOS DPAK 40V 7.1 MOHM 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1210pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 48.4W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,780
FDD9507L-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 PMOS DPAK 40V 4.4 MOHM 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6250pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 227W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-PAK (TO-252) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,578
FDD9509L-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 PT8P 40V LL DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-PAK (TO-252) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,996
FDD9510L-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 35V 13A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-PAK (TO-252) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,052
FDD9511L-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 PT8P 40V LL DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 48.4W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-PAK (TO-252) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,100
FDFC2P100 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 445pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SuperSOT™-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存6,390
FDFC3N108 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 355pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SuperSOT™-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存4,176
FDFM2N111 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 273pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MicroFET 3x3mm 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存5,472
FDFM2P110 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MicroFET 3x3mm 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存28,800
FDFMA2N028Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.4W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2) 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad	庫存46,038
FDFMA2P029Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.4W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2) 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad	庫存2,844
FDFMA2P029Z-F106 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 -20V -3.1A 95 O PCH ER T 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2) 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad	庫存4,932
FDFMA2P853 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2) 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad	庫存53,868
FDFMA2P853T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MicroFET 2x2 Thin 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存7,902
FDFMA2P857 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2) 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad	庫存6,048
FDFMA2P859T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MicroFET 2x2 Thin 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存2,394
FDFMA3N109 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2) 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad	庫存177,084
FDFMA3P029Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 87mOhm @ 3.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2) 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad	庫存6,894
FDFME2P823ZT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 405pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-MicroFET (1.6x1.6) 包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad	庫存6,768
FDFME3N311ZT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-MicroFET (1.6x1.6) 包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad	庫存2,916
FDFMJ2P023Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 112mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-75, MicroFET 包裝/箱: 6-WFDFN Exposed Pad	庫存8,388
FDFS2P102 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 3.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,534
FDFS2P102A ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 3.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 182pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,004
FDFS2P103 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 5V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 528pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,582

FDD9407_SN00283

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 227W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-PAK (TO-252AA)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,184

FDD9409-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A TO252

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3130pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-PAK (TO-252)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,750

FDD9409L-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3360pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,456

FDD9410-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1715pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-PAK (TO-252)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,482

FDD9410L-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO252

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1960pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,436

FDD9411-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48.4W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-PAK (TO-252)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,174

FDD9411L-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NMOS DPAK 40V 7.1 MOHM

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1210pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48.4W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,780

FDD9507L-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

PMOS DPAK 40V 4.4 MOHM

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6250pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 227W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-PAK (TO-252)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,578

FDD9509L-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

PT8P 40V LL DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-PAK (TO-252)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,996

FDD9510L-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 35V 13A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-PAK (TO-252)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,052

FDD9511L-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

PT8P 40V LL DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48.4W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-PAK (TO-252)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,100

FDFC2P100

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 445pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SuperSOT™-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存6,390

FDFC3N108

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 355pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SuperSOT™-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存4,176

FDFM2N111

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 273pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MicroFET 3x3mm
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存5,472

FDFM2P110

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MicroFET 3x3mm
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存28,800

FDFMA2N028Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.4W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2)
包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad

庫存46,038

FDFMA2P029Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.4W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2)
包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad

庫存2,844

FDFMA2P029Z-F106

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

-20V -3.1A 95 O PCH ER T

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2)
包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad

庫存4,932

FDFMA2P853

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2)
包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad

庫存53,868

FDFMA2P853T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MicroFET 2x2 Thin
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存7,902

FDFMA2P857

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2)
包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad

庫存6,048

FDFMA2P859T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MicroFET 2x2 Thin
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存2,394

FDFMA3N109

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2)
包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad

庫存177,084

FDFMA3P029Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 87mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-MicroFET (2x2)
包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad

庫存6,894

FDFME2P823ZT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 405pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-MicroFET (1.6x1.6)
包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad

庫存6,768

FDFME3N311ZT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-MicroFET (1.6x1.6)
包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad

庫存2,916

FDFMJ2P023Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 112mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-75, MicroFET
包裝/箱: 6-WFDFN Exposed Pad

庫存8,388

FDFS2P102

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,534

FDFS2P102A

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 182pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,004

FDFS2P103

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 528pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,582

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