晶體管

型號	描述	庫存
BFQ19,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 500MHz 增益: - 功率-最大: 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 70mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89-3	庫存3,436
BFQ 19S E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益: 7dB ~ 11.5dB 功率-最大: 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 70mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 210mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: PG-SOT89	庫存8,208
BFQ19SH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 1.8GHz 增益: 7dB 功率-最大: 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 70mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89-3	庫存2,520
BFQ31ATA Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz 增益: - 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存6,120
BFQ31ATC Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz 增益: - 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存4,716
BFQ540,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT89-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 9GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益: - 功率-最大: 1.2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 40mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120mA 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89-3	庫存2,160
BFQ591,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 2.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 70mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89-3	庫存4,050
BFQ67,215 NXP	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益: - 功率-最大: 300mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 15mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)	庫存2,790
BFQ67W,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益: - 功率-最大: 300mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 15mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SOT-323-3	庫存2,016
BFQ67W,135 NXP	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益: - 功率-最大: 300mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 15mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SOT-323-3	庫存4,752
BFQ790H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6.1V 頻率-過渡: 1.85GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2.6dB @ 1.8GHz 增益: 17dB 功率-最大: 1.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存65,484
BFR106,215 NXP	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 800MHz 增益: - 功率-最大: 500mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 50mA, 9V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)	庫存7,182
BFR106E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益: 8.5dB ~ 13dB 功率-最大: 700mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 70mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 210mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存209,556
BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 18.5dB 功率-最大: 175mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存8,190
BFR 181 E6780 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 18.5dB 功率-最大: 175mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存3,492
BFR 181T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 19.5dB 功率-最大: 175mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存2,592
BFR 181W E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 19dB 功率-最大: 175mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存7,200
BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 19dB 功率-最大: 175mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存337,194
BFR 182 B6663 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 12dB ~ 18dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存3,150
BFR182E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 12dB ~ 18dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存25,008
BFR 182T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 20dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存8,118
BFR 182W E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 19dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存8,676
BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 19dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存27,858
BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 17.5dB 功率-最大: 450mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 15mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存98,322
BFR 183T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 19.5dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 15mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存2,448
BFR 183W E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 18.5dB 功率-最大: 450mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 15mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存3,672
BFR183WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 18.5dB 功率-最大: 450mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 15mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存6,174
BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 10dB ~ 15dB 功率-最大: 580mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 30mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存321,858
BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 12.5dB 功率-最大: 580mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 30mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存53,880
BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 12.5dB ~ 19dB 功率-最大: 580mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 30mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-1	庫存2,070

BFQ19,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 500MHz
增益: -
功率-最大: 1W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 70mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89-3

庫存3,436

BFQ 19S E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
增益: 7dB ~ 11.5dB
功率-最大: 1W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 70mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 210mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: PG-SOT89

庫存8,208

BFQ19SH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 1.8GHz
增益: 7dB
功率-最大: 1W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 70mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 120mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89-3

庫存2,520

BFQ31ATA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz
增益: -
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存6,120

BFQ31ATC

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz
增益: -
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存4,716

BFQ540,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT89-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 9GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz
增益: -
功率-最大: 1.2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 40mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 120mA
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89-3

庫存2,160

BFQ591,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 2.25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 70mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89-3

庫存4,050

BFQ67,215

NXP

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益: -
功率-最大: 300mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 15mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)

庫存2,790

BFQ67W,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益: -
功率-最大: 300mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 15mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SOT-323-3

庫存2,016

BFQ67W,135

NXP

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益: -
功率-最大: 300mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 15mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SOT-323-3

庫存4,752

BFQ790H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6.1V
頻率-過渡: 1.85GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2.6dB @ 1.8GHz
增益: 17dB
功率-最大: 1.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存65,484

BFR106,215

NXP

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 800MHz
增益: -
功率-最大: 500mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 50mA, 9V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)

庫存7,182

BFR106E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
增益: 8.5dB ~ 13dB
功率-最大: 700mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 70mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 210mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存209,556

BFR181E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 18.5dB
功率-最大: 175mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存8,190

BFR 181 E6780

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 18.5dB
功率-最大: 175mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存3,492

BFR 181T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 19.5dB
功率-最大: 175mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存2,592

BFR 181W E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 19dB
功率-最大: 175mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存7,200

BFR181WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 19dB
功率-最大: 175mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存337,194

BFR 182 B6663

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 12dB ~ 18dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存3,150

BFR182E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 12dB ~ 18dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存25,008

BFR 182T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 20dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存8,118

BFR 182W E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 19dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存8,676

BFR182WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 19dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存27,858

BFR183E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 17.5dB
功率-最大: 450mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 15mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存98,322

BFR 183T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 19.5dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 15mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存2,448

BFR 183W E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 18.5dB
功率-最大: 450mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 15mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存3,672

BFR183WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 18.5dB
功率-最大: 450mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 15mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存6,174

BFR193E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 10dB ~ 15dB
功率-最大: 580mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 30mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存321,858

BFR193FH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 12.5dB
功率-最大: 580mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 30mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存53,880

BFR193L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 12.5dB ~ 19dB
功率-最大: 580mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 30mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-1

庫存2,070

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