晶體管

型號	描述	庫存
IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 45A 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,166
IPD135N08N3GBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,498
IPD13N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,730
IPD144N06NGBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 50A TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,426
IPD14N06S280ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 14µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 293pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,708
IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 14µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 293pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-11 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,700
IPD15N06S2L64ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 14µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 354pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,034
IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL_55/60V 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 14µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 354pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-11 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存20,016
IPD160N04LGBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,700
IPD16CN10N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 53A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,442
IPD16CNE8N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 53A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3230pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,650
IPD170N04NGBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,554
IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MV POWER MOS 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,806
IPD180N10N3GBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,562
IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存59,430
IPD200N15N3GBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,658
IPD20N03L Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,104
IPD20N03L G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 695pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,014
IPD220N06L3GBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存61,620
IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 31µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,358
IPD230N06NGBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,228
IPD250N06N3GBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,434
IPD25CN10NGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存24,174
IPD25CN10NGBUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,400
IPD25CNE8N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,920
IPD25DP06LMATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,004
IPD25DP06LMSAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,186
IPD25DP06NMATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,282
IPD25N06S240ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 513pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,754
IPD25N06S240ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 513pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-11 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,500

IPD135N08N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 45A

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,166

IPD135N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,498

IPD13N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,730

IPD144N06NGBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,426

IPD14N06S280ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 14µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 293pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,708

IPD14N06S280ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 14µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 293pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-11
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,700

IPD15N06S2L64ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 14µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 354pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,034

IPD15N06S2L64ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL_55/60V

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 14µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 354pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-11
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存20,016

IPD160N04LGBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,700

IPD16CN10N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 53A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,442

IPD16CNE8N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 53A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3230pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,650

IPD170N04NGBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,554

IPD180N10N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MV POWER MOS

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,806

IPD180N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,562

IPD200N15N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存59,430

IPD200N15N3GBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,658

IPD20N03L

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,104

IPD20N03L G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 695pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,014

IPD220N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存61,620

IPD22N08S2L50ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 31µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,358

IPD230N06NGBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,228

IPD250N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,434

IPD25CN10NGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存24,174

IPD25CN10NGBUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,400

IPD25CNE8N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,920

IPD25DP06LMATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,004

IPD25DP06LMSAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,186

IPD25DP06NMATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,282

IPD25N06S240ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 513pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,754

IPD25N06S240ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 513pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-11
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,500

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