晶體管

型號	描述	庫存
IPP12CNE8N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 67A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 83µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,338
IPP139N08N3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,726
IPP13N03LB G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1355pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,088
IPP147N03L G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,528
IPP147N12N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存12,708
IPP14N03LA Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,858
IPP16CN10LGXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.7mOhm @ 54A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 61µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4190pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,100
IPP16CN10NGHKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,752
IPP16CN10NGXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 53A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,680
IPP16CNE8N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 53A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3230pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,006
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 54µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存21,840
IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存16,140
IPP200N15N3GHKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,526
IPP200N15N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存31,068
IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存9,084
IPP21N03L G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,280
IPP220N25NFDAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 61A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 61A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7076pF @ 125V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,436
IPP22N03S4L15AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,658
IPP230N06L3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,388
IPP25N06S325XK Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 25A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1862pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,870
IPP25N06S3L-22 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 25A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,614
IPP260N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,114
IPP26CN10NGHKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 35A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,136
IPP26CNE8N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 35A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,618
IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存26,544
IPP35CN10N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 29µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1570pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 58W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,958
IPP35CN10NGXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 29µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1570pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 58W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,136
IPP410N30NAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7180pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存9,564
IPP45N06S3-16 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 45A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,086
IPP45N06S3L-13 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 45A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,544

IPP12CNE8N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 67A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 83µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,338

IPP139N08N3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,726

IPP13N03LB G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1355pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,088

IPP147N03L G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,528

IPP147N12N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存12,708

IPP14N03LA

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,858

IPP16CN10LGXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.7mOhm @ 54A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 61µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4190pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,100

IPP16CN10NGHKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,752

IPP16CN10NGXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 53A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,680

IPP16CNE8N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 53A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3230pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,006

IPP17N25S3100AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 17A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 54µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存21,840

IPP180N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存16,140

IPP200N15N3GHKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,526

IPP200N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存31,068

IPP200N25N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存9,084

IPP21N03L G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,280

IPP220N25NFDAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 61A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 61A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7076pF @ 125V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,436

IPP22N03S4L15AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,658

IPP230N06L3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,388

IPP25N06S325XK

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 25A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1862pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,870

IPP25N06S3L-22

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 25A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,614

IPP260N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,114

IPP26CN10NGHKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 35A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,136

IPP26CNE8N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 35A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,618

IPP320N20N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存26,544

IPP35CN10N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 29µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1570pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 58W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,958

IPP35CN10NGXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 29µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1570pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 58W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,136

IPP410N30NAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7180pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存9,564

IPP45N06S3-16

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 45A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,086

IPP45N06S3L-13

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 45A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,544

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