晶體管

型號	描述	庫存
IPU103N08N3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.3mOhm @ 46A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 46µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,740
IPU105N03L G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,424
IPU10N03LA Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 30A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1358pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO251-3-1 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,610
IPU10N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 30A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1358pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO251-3-1 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,262
IPU135N03L G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,056
IPU135N08N3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,384
IPU13N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO251-3-1 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,004
IPU20N03L G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO251-3-1 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,898
IPU50R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 178pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存6,066
IPU50R1K4CEBKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 178pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,208
IPU50R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 124pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存6,408
IPU50R2K0CEBKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 124pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 22W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,492
IPU50R3K0CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 84pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 26W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,868
IPU50R3K0CEBKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 84pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 18W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,070
IPU50R950CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,290
IPU50R950CEAKMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,758
IPU50R950CEBKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,096
IPU60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,184
IPU60R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 61W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,668
IPU60R1K0CEBKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 37W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,506
IPU60R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,556
IPU60R1K4C6BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 28.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,004
IPU60R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,640
IPU60R1K5CEAKMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 49W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,204
IPU60R1K5CEBKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,212
IPU60R2K0C6AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 22.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,520
IPU60R2K0C6BKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 22.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,770
IPU60R2K1CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,338
IPU60R2K1CEBKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 22W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,662
IPU60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,038

IPU103N08N3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.3mOhm @ 46A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 46µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,740

IPU105N03L G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,424

IPU10N03LA

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 30A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1358pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO251-3-1
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,610

IPU10N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 30A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1358pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO251-3-1
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,262

IPU135N03L G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,056

IPU135N08N3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,384

IPU13N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 30A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO251-3-1
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,004

IPU20N03L G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO251-3-1
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,898

IPU50R1K4CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 178pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存6,066

IPU50R1K4CEBKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 178pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,208

IPU50R2K0CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 124pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存6,408

IPU50R2K0CEBKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 124pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 22W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,492

IPU50R3K0CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 84pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 26W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,868

IPU50R3K0CEBKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 84pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 18W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,070

IPU50R950CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,290

IPU50R950CEAKMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,758

IPU50R950CEBKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,096

IPU60R1K0CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,184

IPU60R1K0CEAKMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 61W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,668

IPU60R1K0CEBKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 37W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,506

IPU60R1K4C6AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,556

IPU60R1K4C6BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 600V 3.2A TO251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 28.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,004

IPU60R1K5CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,640

IPU60R1K5CEAKMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 49W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,204

IPU60R1K5CEBKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,212

IPU60R2K0C6AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 22.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,520

IPU60R2K0C6BKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 22.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,770

IPU60R2K1CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,338

IPU60R2K1CEBKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 22W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,662

IPU60R3K4CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,038

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