晶體管

型號	描述	庫存
IXTN200N10L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 178A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 830W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存7,620
IXTN200N10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 550W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,032
IXTN210P10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 制造商: IXYS 系列: TrenchP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 740nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 69500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 830W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存5,724
IXTN21N100 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B 制造商: IXYS 系列: MegaMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 520W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存8,856
IXTN22N100L IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,768
IXTN240N075L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 225A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 120A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 546nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 735W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存5,274
IXTN30N100L IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 15A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 545nC @ 20V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 800W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存5,760
IXTN320N10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 680W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存7,974
IXTN32P60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 制造商: IXYS 系列: PolarP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 196nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存8,640
IXTN36N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存101
IXTN400N15X4 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 400A SOT-227 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 430nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1070W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存8,802
IXTN40P50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 500V 40A SOT227 制造商: IXYS 系列: PolarP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存7,326
IXTN46N50L IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,660
IXTN550N055T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™, TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 595nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 940W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存3,042
IXTN5N250 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 2500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存5,832
IXTN600N04T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™, TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 590nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 940W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,984
IXTN60N50L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 610nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 735W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存18,744
IXTN62N50L IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 550nC @ 20V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 800W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,284
IXTN660N04T4 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT 制造商: IXYS 系列: TrenchT4™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 860nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44000pF @ 25V FET功能: Current Sensing 功耗（最大值）: 1040W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存5,076
IXTN79N20 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,354
IXTN8N150L IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 545W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存7,326
IXTN90N25L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 640nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 735W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存2,340
IXTN90P20P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 90A SOT227 制造商: IXYS 系列: PolarP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,770
IXTP01N100D IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110Ohm @ 50mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存23,760
IXTP02N120P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 制造商: IXYS 系列: Polar™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,804
IXTP02N50D IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,400
IXTP05N100 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,122
IXTP05N100M IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,376
IXTP05N100P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 制造商: IXYS 系列: Polar™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 196pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,896
IXTP06N120P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 制造商: IXYS 系列: PolarVHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,178

IXTN200N10L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 178A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存7,620

IXTN200N10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,032

IXTN210P10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227

制造商: IXYS
系列: TrenchP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 740nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 69500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存5,724

IXTN21N100

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B

制造商: IXYS
系列: MegaMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 520W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存8,856

IXTN22N100L

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,768

IXTN240N075L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 225A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 120A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 546nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 735W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存5,274

IXTN30N100L

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 15A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 545nC @ 20V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存5,760

IXTN320N10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 680W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存7,974

IXTN32P60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 600V 32A SOT227

制造商: IXYS
系列: PolarP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 196nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存8,640

IXTN36N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存101

IXTN400N15X4

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 400A SOT-227

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 430nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1070W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存8,802

IXTN40P50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 500V 40A SOT227

制造商: IXYS
系列: PolarP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存7,326

IXTN46N50L

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,660

IXTN550N055T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™, TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 595nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 940W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存3,042

IXTN5N250

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 2500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存5,832

IXTN600N04T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™, TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 590nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 940W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,984

IXTN60N50L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 610nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 735W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存18,744

IXTN62N50L

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 550nC @ 20V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,284

IXTN660N04T4

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT

制造商: IXYS
系列: TrenchT4™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 860nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44000pF @ 25V
FET功能: Current Sensing
功耗（最大值）: 1040W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存5,076

IXTN79N20

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,354

IXTN8N150L

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 545W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存7,326

IXTN90N25L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 640nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 735W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存2,340

IXTN90P20P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 90A SOT227

制造商: IXYS
系列: PolarP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,770

IXTP01N100D

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110Ohm @ 50mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存23,760

IXTP02N120P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220

制造商: IXYS
系列: Polar™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,804

IXTP02N50D

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,400

IXTP05N100

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,122

IXTP05N100M

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,376

IXTP05N100P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263

制造商: IXYS
系列: Polar™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 196pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,896

IXTP06N120P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220

制造商: IXYS
系列: PolarVHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,178

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