晶體管

型號	描述	庫存
NTDV2955PT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,768
NTDV3055L104-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 12A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 48W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,298
NTDV5804NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 69A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,164
NTDV5805NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 51A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1725pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,982
NTDV6414ANT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 32A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,228
NTE4151PT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 760mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 156pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 313mW (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-89-3 包裝/箱: SC-89, SOT-490	庫存91,020
NTE4153NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 915mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.82nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 300mW (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-89-3 包裝/箱: SC-89, SOT-490	庫存1,375,398
NTF2955PT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 492pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,498
NTF2955T1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 492pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存177,480
NTF3055-100T1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261) 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,976
NTF3055-100T1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261) 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,012
NTF3055-100T1G-IRH1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NFET SOT223 60V 3A 0.100R 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261) 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,102
NTF3055-100T3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,364
NTF3055-100T3LF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,402
NTF3055-160T1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,088
NTF3055-160T3LF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,580
NTF3055L108T1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存48,870
NTF3055L108T3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,156
NTF3055L108T3LF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,056
NTF3055L108T3LFG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,646
NTF3055L175T1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261) 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,822
NTF3055L175T1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261) 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,838
NTF3055L175T3 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261) 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,268
NTF3055L175T3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261) 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,824
NTF3055L175T3LF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261) 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,038
NTF5P03T3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,790
NTF6P02T3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 8.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,248
NTGD3147FT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -25°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6	庫存5,670
NTGD4169FT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 295pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -25°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6	庫存3,564
NTGS1135PT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 970mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6	庫存4,644

NTDV2955PT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,768

NTDV3055L104-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 48W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,298

NTDV5804NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 69A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,164

NTDV5805NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 51A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1725pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,982

NTDV6414ANT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 32A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,228

NTE4151PT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 760mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 156pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 313mW (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-89-3
包裝/箱: SC-89, SOT-490

庫存91,020

NTE4153NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 915mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.82nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300mW (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-89-3
包裝/箱: SC-89, SOT-490

庫存1,375,398

NTF2955PT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 492pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,498

NTF2955T1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 492pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存177,480

NTF3055-100T1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,976

NTF3055-100T1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,012

NTF3055-100T1G-IRH1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NFET SOT223 60V 3A 0.100R

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,102

NTF3055-100T3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,364

NTF3055-100T3LF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 455pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,402

NTF3055-160T1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,088

NTF3055-160T3LF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,580

NTF3055L108T1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存48,870

NTF3055L108T3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,156

NTF3055L108T3LF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,056

NTF3055L108T3LFG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,646

NTF3055L175T1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,822

NTF3055L175T1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,838

NTF3055L175T3

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,268

NTF3055L175T3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,824

NTF3055L175T3LF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,038

NTF5P03T3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,790

NTF6P02T3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 10A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 8.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,248

NTGD3147FT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -25°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6

庫存5,670

NTGD4169FT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 295pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -25°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6

庫存3,564

NTGS1135PT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 970mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6

庫存4,644

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