晶體管

型號	描述	庫存
RD3P200SNFRATL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RD3P200SNFRA IS A POWER MOSFET F 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,110
RD3P200SNTL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RD3P200SN IS A POWER MOSFET WITH 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,490
RD3S075CNTL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 190V 7.5A POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 190V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,480
RD3S100CNTL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 190V 10A POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 190V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 85W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,364
RD3T050CNTL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 200V 5A POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 760mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.25V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,420
RD3T075CNTL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 200V 7.5A POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 325mOhm @ 3.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.25V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 755pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,698
RD3T100CNTL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 200V 10A POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.25V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 85W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,796
RD3U040CNTL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 250V 4A POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,118
RD3U060CNTL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 250V 6A POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,600
RD3U080CNTL1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 250V 8A POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 85W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,898
RDD020N50TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,766
RDD020N60TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CPT3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,824
RDD022N50TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V CPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 168pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CPT3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,834
RDD022N60TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V CPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CPT3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,380
RDD023N50TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 151pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CPT3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,904
RDD050N20TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 292pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CPT3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,042
RDN050N20FU6 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 292pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FN 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,506
RDN080N25FU6 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 543pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FN 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,536
RDN100N20 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 543pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FN 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,384
RDN100N20FU6 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 543pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FN 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,058
RDN120N25 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1224pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FN 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,700
RDN120N25FU6 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1224pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FN 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,502
RDN150N20FU6 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1224pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FN 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,490
RDR005N25TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存110,322
RDX045N60FU6 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 2.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,924
RDX050N50FU6 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,168
RDX060N60FU6 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,020
RDX080N50FU6 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,798
RDX100N60FU6 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,066
RDX120N50FU6 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,120

RD3P200SNFRATL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RD3P200SNFRA IS A POWER MOSFET F

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,110

RD3P200SNTL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RD3P200SN IS A POWER MOSFET WITH

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,490

RD3S075CNTL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 190V 7.5A POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 190V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,480

RD3S100CNTL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 190V 10A POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 190V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 85W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,364

RD3T050CNTL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 200V 5A POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 760mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.25V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,420

RD3T075CNTL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 200V 7.5A POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 325mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.25V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 755pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,698

RD3T100CNTL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 200V 10A POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.25V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 85W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,796

RD3U040CNTL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 250V 4A POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,118

RD3U060CNTL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 250V 6A POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,600

RD3U080CNTL1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 250V 8A POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 85W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,898

RDD020N50TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2A CPT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,766

RDD020N60TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CPT3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,824

RDD022N50TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V CPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 168pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CPT3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,834

RDD022N60TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V CPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CPT3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,380

RDD023N50TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2A CPT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 151pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CPT3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,904

RDD050N20TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 292pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CPT3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,042

RDN050N20FU6

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 292pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FN
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,506

RDN080N25FU6

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 543pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FN
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,536

RDN100N20

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 543pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FN
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,384

RDN100N20FU6

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 543pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FN
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,058

RDN120N25

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1224pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FN
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,700

RDN120N25FU6

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1224pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FN
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,502

RDN150N20FU6

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1224pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FN
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,490

RDR005N25TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存110,322

RDX045N60FU6

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,924

RDX050N50FU6

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,168

RDX060N60FU6

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,020

RDX080N50FU6

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,798

RDX100N60FU6

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,066

RDX120N50FU6

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,120

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message