晶體管

型號	描述	庫存
RSH140N03TB1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A SOP8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,430
RSJ10HN06TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 202nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存20,268
RSJ151P10TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 15A SC83 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.35W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS (SC-83) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,294
RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 4V DRIVE PCH MOSFET (AEC-Q101 QU 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,034
RSJ250P10TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存23,784
RSJ300N10TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 30A LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,128
RSJ301N10FRATL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 100V 30A POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,682
RSJ400N06FRATL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 10V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 Q 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,644
RSJ400N06TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 40A LTPS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存23,952
RSJ400N10FRATL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RSJ400N10FRA IS THE HIGH RELIABI 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.35W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,928
RSJ400N10TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 40A LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.35W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS (SC-83) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,202
RSJ450N04TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 45A LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存21,516
RSJ451N04FRATL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RSJ451N04FRAIS THE HIGH RELIABIL 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,222
RSJ550N10TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 55A LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 143nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,678
RSJ650N10TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 65A LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10780pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,772
RSJ800N06TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 80A LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存21,936
RSL020P03FRATR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 4V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPONDS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT6 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存3,708
RSL020P03TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT6 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存52,668
RSM002N06T2L Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VMT3 包裝/箱: SOT-723	庫存5,148
RSM002P03T2L Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VMT3 包裝/箱: SOT-723	庫存3,852
RSQ015N06TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存8,262
RSQ015P10TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存119,562
RSQ020N03TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存4,914
RSQ025P03TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存2,520
RSQ030P03TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存2,718
RSQ035N03TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 5V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存3,150
RSQ035P03TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存24,270
RSQ045N03TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存47,292
RSR010N10TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存54,606
RSR015P03TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存3,418

RSH140N03TB1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A SOP8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,430

RSJ10HN06TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 202nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存20,268

RSJ151P10TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 15A SC83

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.35W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS (SC-83)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,294

RSJ250P10FRATL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

4V DRIVE PCH MOSFET (AEC-Q101 QU

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,034

RSJ250P10TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 25A LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存23,784

RSJ300N10TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 30A LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,128

RSJ301N10FRATL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 100V 30A POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,682

RSJ400N06FRATL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

10V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 Q

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,644

RSJ400N06TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 40A LTPS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存23,952

RSJ400N10FRATL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RSJ400N10FRA IS THE HIGH RELIABI

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.35W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,928

RSJ400N10TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 40A LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.35W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS (SC-83)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,202

RSJ450N04TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 45A LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存21,516

RSJ451N04FRATL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RSJ451N04FRAIS THE HIGH RELIABIL

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,222

RSJ550N10TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 55A LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 143nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,678

RSJ650N10TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 65A LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10780pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,772

RSJ800N06TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 80A LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存21,936

RSL020P03FRATR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

4V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPONDS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT6
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存3,708

RSL020P03TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT6
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存52,668

RSM002N06T2L

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VMT3
包裝/箱: SOT-723

庫存5,148

RSM002P03T2L

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VMT3
包裝/箱: SOT-723

庫存3,852

RSQ015N06TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存8,262

RSQ015P10TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存119,562

RSQ020N03TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存4,914

RSQ025P03TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存2,520

RSQ030P03TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存2,718

RSQ035N03TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 5V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存3,150

RSQ035P03TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存24,270

RSQ045N03TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存47,292

RSR010N10TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存54,606

RSR015P03TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存3,418

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