晶體管

型號	描述	庫存
RU1E002SPTCL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UMT3F 包裝/箱: SC-85	庫存22,962
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0.9V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UMT3F 包裝/箱: SC-85	庫存349,686
RU1L002SNTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL MOSFET, 2.5V. MOSFETS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,222
RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 1.2V DRIVE NCH MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 350mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SST3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存29,466
RUC002N05T116 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SST3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存22,878
RUE002N02TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V .2A EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: EMT3 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存143,856
RUE002N05TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: EMT3 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存8,712
RUE003N02TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: EMT3 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存76,560
RUF015N02TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT3 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存151,056
RUF020N02TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 320mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT3 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存95,508
RUF025N02FRATL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT3 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存24,258
RUF025N02TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 320mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT3 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存4,644
RUL035N02FRATR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 20V 3.5A POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT6 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存8,820
RUL035N02TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 320mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT6 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存3,636
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.1pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VMT3 包裝/箱: SOT-723	庫存1,557,306
RUM002N02T2L Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VMT3 包裝/箱: SOT-723	庫存4,644
RUM002N05T2L Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VMT3 包裝/箱: SOT-723	庫存204,588
RUM003N02T2L Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VMT3 包裝/箱: SOT-723	庫存303,792
RUQ050N02TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存6,480
RUR020N02TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 540mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存26,076
RUR040N02TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存3,060
RUS100N02TB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,736
RUU002N05T106 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UMT3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存6,318
RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VML0806 包裝/箱: 3-SMD, No Lead	庫存5,580
RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.15A VML0806 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VML0806 包裝/箱: 3-SMD, No Lead	庫存1,530,240
RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DFN1006-3 (VML1006) 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存8,784
RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DFN1006-3 (VML1006) 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存76,134
RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1A VML1006 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 400mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DFN1006-3 (VML1006) 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存6,282
RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 400mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DFN1006-3 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存2,088
RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 20V 150MA SM SIG MOSFET, VML 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VML0604 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存6,894

RU1E002SPTCL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UMT3F
包裝/箱: SC-85

庫存22,962

RU1J002YNTCL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0.9V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UMT3F
包裝/箱: SC-85

庫存349,686

RU1L002SNTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL MOSFET, 2.5V. MOSFETS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,222

RUC002N05HZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

1.2V DRIVE NCH MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SST3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存29,466

RUC002N05T116

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SST3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存22,878

RUE002N02TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V .2A EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: EMT3
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存143,856

RUE002N05TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: EMT3
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存8,712

RUE003N02TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: EMT3
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存76,560

RUF015N02TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT3
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存151,056

RUF020N02TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 320mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT3
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存95,508

RUF025N02FRATL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT3
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存24,258

RUF025N02TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 320mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT3
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存4,644

RUL035N02FRATR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 20V 3.5A POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT6
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存8,820

RUL035N02TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 320mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT6
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存3,636

RUM001L02T2CL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.1pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VMT3
包裝/箱: SOT-723

庫存1,557,306

RUM002N02T2L

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VMT3
包裝/箱: SOT-723

庫存4,644

RUM002N05T2L

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VMT3
包裝/箱: SOT-723

庫存204,588

RUM003N02T2L

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VMT3
包裝/箱: SOT-723

庫存303,792

RUQ050N02TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存6,480

RUR020N02TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存26,076

RUR040N02TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存3,060

RUS100N02TB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,736

RUU002N05T106

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UMT3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存6,318

RV1C001ZPT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VML0806
包裝/箱: 3-SMD, No Lead

庫存5,580

RV1C002UNT2CL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.15A VML0806

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VML0806
包裝/箱: 3-SMD, No Lead

庫存1,530,240

RV2C001ZPT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DFN1006-3 (VML1006)
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存8,784

RV2C002UNT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DFN1006-3 (VML1006)
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存76,134

RV2C010UNT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1A VML1006

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DFN1006-3 (VML1006)
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存6,282

RV2C014BCT2CL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DFN1006-3
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存2,088

RV3C002UNT2CL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 20V 150MA SM SIG MOSFET, VML

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VML0604
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存6,894

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