晶體管

型號	描述	庫存
SFT1443-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 19W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK/TP-FA 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,940
SFT1443-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 19W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK/TP-FA 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存17,988
SFT1443-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 9A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 19W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: IPAK/TP 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,650
SFT1445-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 17A TP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 111mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TP 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,454
SFT1445-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 17A TP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 111mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TP-FA 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存19,608
SFT1446-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 20A TP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 23W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TP 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,734
SFT1446-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 23W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TP-FA 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,622
SFT1450-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 21A TP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 715pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 23W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TP 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,218
SFT1450-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 715pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 23W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TP-FA 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,266
SFT1452-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 26W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: IPAK/TP 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,308
SFT1452-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 26W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK/TP-FA 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,020
SFT1452-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 3A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 26W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK/TP-FA 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,220
SFT1452-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 3A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 26W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: IPAK/TP 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存6,390
SFT1458-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 1A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 38W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: IPAK/TP 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,560
SFT1458-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 38W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK/TP-FA 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,538
SFU9220TU_AM002 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,130
SFU9220TU_F080 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,402
SFW9530TM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 10.5A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1035pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 66W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,520
SFW9640TM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1585pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 123W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,110
SFW9Z34TM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1155pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 82W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,560
SI1002R-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 610mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 560mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 220mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-75A 包裝/箱: SC-75A	庫存4,320
SI1011X-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V SC-89 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 640mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 62pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 190mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-89-3 包裝/箱: SC-89, SOT-490	庫存4,302
SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 240mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-75A 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存6,174
SI1012R-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-75A 包裝/箱: SC-75A	庫存4,212
SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-75A 包裝/箱: SC-75A	庫存1,396,140
SI1012-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 750nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-523 包裝/箱: SOT-523	庫存4,680
SI1012X-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-89-3 包裝/箱: SC-89, SOT-490	庫存2,196
SI1012X-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-89-3 包裝/箱: SC-89, SOT-490	庫存363,948
SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 450mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 190mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-89-3 包裝/箱: SC-89, SOT-490	庫存8,838
SI1013R-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-75A 包裝/箱: SC-75A	庫存7,758

SFT1443-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 19W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK/TP-FA
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,940

SFT1443-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 19W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK/TP-FA
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存17,988

SFT1443-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 9A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 19W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: IPAK/TP
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,650

SFT1445-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 17A TP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 111mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TP
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,454

SFT1445-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 17A TP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 111mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TP-FA
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存19,608

SFT1446-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 20A TP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 23W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TP
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,734

SFT1446-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 23W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TP-FA
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,622

SFT1450-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 21A TP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 715pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 23W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TP
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,218

SFT1450-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 715pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 23W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TP-FA
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,266

SFT1452-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 26W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: IPAK/TP
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,308

SFT1452-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 26W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK/TP-FA
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,020

SFT1452-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 3A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 26W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK/TP-FA
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,220

SFT1452-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 3A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 26W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: IPAK/TP
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存6,390

SFT1458-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 38W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: IPAK/TP
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,560

SFT1458-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 38W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK/TP-FA
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,538

SFU9220TU_AM002

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,130

SFU9220TU_F080

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,402

SFW9530TM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 10.5A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1035pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 66W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,520

SFW9640TM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1585pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 123W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,110

SFW9Z34TM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1155pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 82W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,560

SI1002R-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 610mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 560mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 220mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-75A
包裝/箱: SC-75A

庫存4,320

SI1011X-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V SC-89

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 640mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 62pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-89-3
包裝/箱: SC-89, SOT-490

庫存4,302

SI1012CR-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 240mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-75A
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存6,174

SI1012R-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-75A
包裝/箱: SC-75A

庫存4,212

SI1012R-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-75A
包裝/箱: SC-75A

庫存1,396,140

SI1012-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 750nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-523
包裝/箱: SOT-523

庫存4,680

SI1012X-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-89-3
包裝/箱: SC-89, SOT-490

庫存2,196

SI1012X-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-89-3
包裝/箱: SC-89, SOT-490

庫存363,948

SI1013CX-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 450mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-89-3
包裝/箱: SC-89, SOT-490

庫存8,838

SI1013R-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-75A
包裝/箱: SC-75A

庫存7,758

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