晶體管

型號	描述	庫存
SPD04P10PLGBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 380µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 372pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存19,860
SPD06N60C3ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-1 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,146
SPD06N60C3BTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,514
SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 785pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存196,704
SPD06N80C3BTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 785pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,888
SPD07N20 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 7A TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,528
SPD07N20GBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 7A TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,412
SPD07N60C3 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,040
SPD07N60C3ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,508
SPD07N60C3BTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,622
SPD07N60C3T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,082
SPD07N60S5 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,780
SPD07N60S5T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,284
SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-1 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存22,182
SPD08N50C3BTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 560V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,136
SPD08P06P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.83A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,760
SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.83A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6.2V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存43,056
SPD09P06PL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,554
SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存267,450
SPD100N03S2L-04 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-5 包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	庫存6,660
SPD100N03S2L04T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-5 包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	庫存4,086
SPD11N10 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 21µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,784
SPD14N06S2-80 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 14µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,210
SPD15N06S2L-64 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 19A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 14µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 445pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,226
SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1.54mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 128W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存25,860
SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1.54mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 128W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,130
SPD18P06P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 80W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,202
SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 80W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存67,704
SPD22N08S2L-50 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 25A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 31µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,322
SPD25N06S2-40 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 29A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,024

SPD04P10PLGBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 380µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 372pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存19,860

SPD06N60C3ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-1
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,146

SPD06N60C3BTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,514

SPD06N80C3ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 785pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存196,704

SPD06N80C3BTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 785pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,888

SPD07N20

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 7A TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,528

SPD07N20GBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 7A TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,412

SPD07N60C3

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,040

SPD07N60C3ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,508

SPD07N60C3BTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,622

SPD07N60C3T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,082

SPD07N60S5

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,780

SPD07N60S5T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,284

SPD08N50C3ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-1
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存22,182

SPD08N50C3BTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 560V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,136

SPD08P06P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.83A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,760

SPD08P06PGBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.83A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6.2V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存43,056

SPD09P06PL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,554

SPD09P06PLGBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存267,450

SPD100N03S2L-04

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-5
包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

庫存6,660

SPD100N03S2L04T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-5
包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

庫存4,086

SPD11N10

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 21µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,784

SPD14N06S2-80

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 14µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,210

SPD15N06S2L-64

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 14µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 445pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,226

SPD15P10PGBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1.54mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 128W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存25,860

SPD15P10PLGBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1.54mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 128W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,130

SPD18P06P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 80W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,202

SPD18P06PGBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 80W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存67,704

SPD22N08S2L-50

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 25A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 31µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,322

SPD25N06S2-40

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 29A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,024

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