晶體管

SSM3K2615TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3.3V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 800mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: UFM
• 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

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SSM3K301T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56mOhm @ 2A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 4V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TSM
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SSM3K302T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3A TSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 4V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TSM
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SSM3K303T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.3nC @ 4V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TSM
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SSM3K309T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 4A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TSM
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SSM3K310T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 4A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.8nC @ 4V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TSM
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SSM3K315T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6A TSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.1nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TSM
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SSM3K316T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4A TSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 4V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TSM
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SSM3K318R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K318T,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TSM
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SSM3K324R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K329R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 4V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 123pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K333R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 436pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K335R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K336R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 126pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K337R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 38V 2A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 38V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K339R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.1nC @ 4.2V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K341R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K341TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 6A UFM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
• 工作溫度: 175°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: UFM
• 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

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SSM3K344R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 153pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K345R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K347R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 38V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 86pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2W (Ta)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K357R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSF

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 650mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 12V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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SSM3K35AFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SSM
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416

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SSM3K35AMFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VESM
• 包裝/箱: SOT-723

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SSM3K35CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.18A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: CST3C
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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SSM3K35CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=20

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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SSM3K35MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.5pF @ 3V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 150mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VESM
• 包裝/箱: SOT-723

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SSM3K35MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVI
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.5pF @ 3V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 150mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VESM
• 包裝/箱: SOT-723

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SSM3K361R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
• 工作溫度: 175°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23F
• 包裝/箱: SOT-23-3 Flat Leads

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