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晶體管

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頁面 1824/2164
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型號
描述
庫存
數量
STB75N20
STB75N20

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 75A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 84nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3260pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 190W (Tc)
  • 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,394
STB75NF20
STB75NF20

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 75A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 84nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3260pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 190W (Tc)
  • 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存21,864
STB75NF75LT4
STB75NF75LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 75V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 75A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 90nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±15V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4300pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存22,752
STB75NF75T4
STB75NF75T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 75V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 160nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3700pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存14,448
STB75NH02LT4
STB75NH02LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ III
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 24V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 60A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.8V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 22nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2050pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 80W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存13,206
STB76NF75
STB76NF75

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 75V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 160nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3700pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存13,776
STB76NF80
STB76NF80

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 160nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3700pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存4,824
STB78NF55-08
STB78NF55-08

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 155nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3740pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,472
STB7ANM60N
STB7ANM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 14nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 363pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,784
STB7N52K3
STB7N52K3

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH3™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 525V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 980mOhm @ 3.1A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 50µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 737pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 90W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存20,718
STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 800V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5.2A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 100µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1138pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 125W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I2PAK
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存6,768
STB7NK80ZT4
STB7NK80ZT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 800V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5.2A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 100µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1138pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 125W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存31,452
STB80N20M5
STB80N20M5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ V
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 61A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 104nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4329pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 190W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存5,292
STB80N4F6AG
STB80N4F6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 36nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2150pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 70W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263)
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存18,468
STB80NE03L-06T4
STB80NE03L-06T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 130nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 6500pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 150W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,006
STB80NF03L-04-1
STB80NF03L-04-1

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 110nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5500pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -60°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I2PAK
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存8,802
STB80NF03L-04T4
STB80NF03L-04T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 110nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5500pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -60°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存7,434
STB80NF10T4
STB80NF10T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 182nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5500pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存19,740
STB80NF55-06-1
STB80NF55-06-1

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 189nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I2PAK
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存22,188
STB80NF55-06T4
STB80NF55-06T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 189nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存19,212
STB80NF55-08-1
STB80NF55-08-1

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 155nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3850pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I2PAK
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存5,976
STB80NF55-08AG
STB80NF55-08AG

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 112nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3740pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D²PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存7,776
STB80NF55-08T4
STB80NF55-08T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 155nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3850pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存7,740
STB80NF55L-06T4
STB80NF55L-06T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 136nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4850pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存14,004
STB80NF55L-08-1
STB80NF55L-08-1

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 100nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±16V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4350pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I2PAK
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存18,840
STB80PF55T4
STB80PF55T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 258nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±16V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5500pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,352
STB85NF3LLT4
STB85NF3LLT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 85A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 40nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±16V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2210pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 110W (Tc)
  • 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,906
STB85NF55LT4
STB85NF55LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 110nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±15V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4050pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,390
STB85NF55T4
STB85NF55T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 150nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3700pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,420
STB85NS04Z
STB85NS04Z

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SAFeFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 33V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±18V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2500pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 215W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,322