晶體管

STL110N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 107A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5117pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 136W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL110NS3LLH7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ H7
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 14A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2110pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL115N10F7AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 107A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 53A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 136W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL11N3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1690pF @ 24V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2W (Ta), 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL11N4LLF5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.7mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.9nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1570pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.9W (Ta), 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL11N60M2-EP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V PWRFLAT 5X6

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M2-EP
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL11N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 85W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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STL11N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 644pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 70W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFLAT™ (5x5)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL11N6F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1035pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.9W (Ta), 48W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL120N2VH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 14A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 2.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4660pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 80W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL120N4F6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3700pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 96W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL120N4LF6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
• Vgs（最大）: 40V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4260pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 96W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL120N8F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 120A

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ F7
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4570pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4.8W (Ta), 140W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL12HN65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

POWER MOSFET

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL12N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 100V 12A STRIPFET F7 P

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ F7
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.3mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL12N3LLH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±22V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2W (Ta), 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL12N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M2
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 538pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL12N60M6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 600 V 0.175 OHM TYP. 1

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M6
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 3.2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 48W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL12N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 48W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL12N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 8.5A 8POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 644pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 48W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL12P6F6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 48V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 75W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL130N6F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 130A F7 8PWRFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ F7
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4.8W (Ta), 125W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL130N8F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6340pF @ 40V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 135W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL135N8F7AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 130A

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 40V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4.8W (Ta), 135W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL13N60DM2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 600 V, 0.350 OHM TYP.,

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ DM2
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 730pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 52W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL13N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT56

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II Plus
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 55W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL13N60M6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 600 V 0.175 OHM TYP. 1

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M6
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL13N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M2
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 475mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL13NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3W (Ta), 90W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (8x8) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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STL140N4F7AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 111W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

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