晶體管

型號	描述	庫存
ZVN4424GTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存281,244
ZVN4424GTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 0.5A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,704
ZVN4424ZTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 300MA SOT-89 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89-3 包裝/箱: TO-243AA	庫存7,542
ZVN4525E6TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs（最大）: ±40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 72pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-6 包裝/箱: SOT-23-6	庫存231,162
ZVN4525E6TC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 0.23A SOT23-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs（最大）: ±40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 72pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-6 包裝/箱: SOT-23-6	庫存2,898
ZVN4525GTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 310mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs（最大）: ±40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 72pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存279,144
ZVN4525GTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 0.31A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 310mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs（最大）: ±40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 72pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,438
ZVN4525ZTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs（最大）: ±40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 72pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89-3 包裝/箱: TO-243AA	庫存265,278
ZVNL110A Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存61,248
ZVNL110ASTOA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存7,524
ZVNL110ASTOB Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存7,200
ZVNL110ASTZ Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存35,586
ZVNL110GTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存31,650
ZVNL110GTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,004
ZVNL120A Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存25,596
ZVNL120ASTOA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存5,616
ZVNL120ASTOB Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存6,894
ZVNL120C Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存3,708
ZVNL120CSTOA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存4,608
ZVNL120CSTOB Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存4,104
ZVNL120CSTZ Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存7,506
ZVNL120GTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存26,646
ZVNL120GTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,532
ZVP0120AS Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存7,740
ZVP0120ASTOA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存4,338
ZVP0120ASTOB Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存2,160
ZVP0120ASTZ Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存6,462
ZVP0545A Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存15,936
ZVP0545ASTOA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存8,712
ZVP0545ASTOB Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱: E-Line-3	庫存6,930

ZVN4424GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存281,244

ZVN4424GTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 0.5A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,704

ZVN4424ZTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 300MA SOT-89

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89-3
包裝/箱: TO-243AA

庫存7,542

ZVN4525E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 72pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-6
包裝/箱: SOT-23-6

庫存231,162

ZVN4525E6TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 0.23A SOT23-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 72pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-6
包裝/箱: SOT-23-6

庫存2,898

ZVN4525GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 310mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 72pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存279,144

ZVN4525GTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 0.31A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 310mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 72pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,438

ZVN4525ZTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 72pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89-3
包裝/箱: TO-243AA

庫存265,278

ZVNL110A

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存61,248

ZVNL110ASTOA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存7,524

ZVNL110ASTOB

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存7,200

ZVNL110ASTZ

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存35,586

ZVNL110GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存31,650

ZVNL110GTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,004

ZVNL120A

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存25,596

ZVNL120ASTOA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存5,616

ZVNL120ASTOB

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存6,894

ZVNL120C

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存3,708

ZVNL120CSTOA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存4,608

ZVNL120CSTOB

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存4,104

ZVNL120CSTZ

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存7,506

ZVNL120GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存26,646

ZVNL120GTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,532

ZVP0120AS

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存7,740

ZVP0120ASTOA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存4,338

ZVP0120ASTOB

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存2,160

ZVP0120ASTZ

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存6,462

ZVP0545A

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存15,936

ZVP0545ASTOA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存8,712

ZVP0545ASTOB

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱: E-Line-3

庫存6,930

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