晶體管

2SA1776TV2Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 400V 0.5A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 50mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 12MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SA1790JCL

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 0.03A SSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 125mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: SSMini3-F1

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2SA1791GRL

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.05A SSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 2mA, 10V
• 功率-最大: 125mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: SSMini3-F3

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2SA1791JRL

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.05A SSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 2mA, 10V
• 功率-最大: 125mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: SSMini3-F1

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2SA1797-P-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89

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2SA1797T100P

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 2A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SA1797T100Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 2A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SA1806GRL

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 15V 0.05A SSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 125mW
• 頻率-過渡: 1.5GHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: SSMini3-F3

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2SA1806JRL

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 15V 0.05A SSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 125mW
• 頻率-過渡: 1.5GHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: SSMini3-F1

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2SA1807TLP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 600V 1A TO252

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 60mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 15MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: CPT3

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2SA1812T100Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 400V 0.5A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 50mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 12MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SA1827S-AY

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 4A FLP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 No Tab
• 供應商設備包裝: FLP

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2SA1832-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.15A SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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2SA1832-Y-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-523
• 供應商設備包裝: SOT-523

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2SA1832-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.15A SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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2SA1834TLR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 10A SOT-428

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 50mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: CPT3

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2SA1834TLS

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 10A SOT-428 TR

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 50mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: CPT3

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2SA1836-T1-A

Renesas Electronics America

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR PNP USM SC-75

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2SA1837,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 1A 230V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SA1837(F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 230V 1A TO220NIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SA1837,HFEMBJF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 1A 230V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SA1837,HFEYHF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 1A 230V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SA1837,HFEYHF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 1A 230V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SA1837(LBSAN,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 1A 230V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SA1837,NSEIKIF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 1A 230V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SA1837(PAIO,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 1A 230V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SA1837,S1CSF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 1A 230V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SA1837,TOA1F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 1A 230V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SA1837,WNLF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 1A 230V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SA1837,YHF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 1A 230V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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