晶體管

2SC4097T106Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 32V 0.5A SOT-323

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 3V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

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2SC4097T106R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 32V 0.5A SOT-323

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 10mA, 3V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

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2SC4102T106R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.05A SOT-323

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

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2SC4102T106S

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.05A SOT-323

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

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2SC4115S-Q-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92S

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2SC4115S-R-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92S

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2SC4115S-S-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92S

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2SC4115STPQ

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 2A 3-PIN SPT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 290MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-72 Formed Leads
• 供應商設備包裝: SPT

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2SC4115STPR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 2A SPT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 290MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-72 Formed Leads
• 供應商設備包裝: SPT

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2SC4115STPS

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 2A 3-PIN SPT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 290MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-72 Formed Leads
• 供應商設備包裝: SPT

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2SC4116-BL,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A USM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: USM

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2SC4116-BL-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SOT-323

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2SC4116-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A USM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: USM

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2SC4116-GR-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SOT-323

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2SC4116-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 150MA SC70

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: USM

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2SC4116-O-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SOT-323

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2SC4116SU-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A USM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: USM

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2SC4116-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A USM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: USM

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2SC4116-Y-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SOT-323

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2SC4117-BL,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.1A SOT323

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: USM

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2SC4117-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR VCEO120V IC0.1A H

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2SC4131

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 15A TO3PF

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 80mA, 400mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5A, 1V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 18MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3PF

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2SC4132T100P

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 2A SOT89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SC4132T100Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 2A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SC4132T100R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 2A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SC4134S-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 1A TP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: TP

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2SC4134S-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 1A TP-FA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: 2-TP-FA

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2SC4134T-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 1A TP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: TP

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2SC4134T-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 1A TP-FA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: 2-TP-FA

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2SC4135S-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 2A TP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: TP

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