晶體管

BC848B-13-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 450 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 310mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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BC848B,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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BC848B,235

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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BC848B-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC848BE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC848BE6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC848BHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SST3

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BC848BL3E6327XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT 23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC848BLT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC848BLT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC848BLT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC848BMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 310mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC848B RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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BC848BT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SST3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SST3

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BC848B-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 225mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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BC848BW-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SOT-323

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BC848BWE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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BC848BWH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT323

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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BC848BW RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SOT-323

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BC848BWT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

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BC848BWT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

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BC848BWT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

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BC848C-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC 848C B6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

BC848CE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC848CE6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC848CLT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC848CLT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC848CMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 310mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC848C RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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