晶體管

BDP949H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A SOT223

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 1V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: PG-SOT223-4

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BDP950E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 3A SOT-223

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: PG-SOT223-4

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BDP950H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 3A SOT223

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: PG-SOT223-4

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BDP953E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A SOT-223

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 1V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: PG-SOT223-4

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BDP953H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A SOT223

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 1V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: PG-SOT223-4

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BDP954E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A SOT-223

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: PG-SOT223-4

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BDP954H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A SOT223

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: PG-SOT223-4

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BDT60B-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 4A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDT60C-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 120V 4A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDT60-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 4A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDT61A-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDT61B-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 4A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDT61C-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 120V 4A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDT61-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 4A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDV64

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

POWER TRANSISTOR PNP TO218

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: TO-218

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BDV64A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

POWER TRANSISTOR PNP TO218

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: TO-218

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BDV64A-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 3.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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BDV64B

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

POWER TRANSISTOR PNP TO218

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: TO-218

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BDV64B

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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BDV64BG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 10A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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BDV64B-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 12A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 3.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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BDV64C-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 120V 12A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 3.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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BDV64-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 12A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 3.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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BDV65

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

POWER TRANSISTOR NPN TO218

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: TO-218

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BDV65A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

POWER TRANSISTOR NPN TO218

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: TO-218

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BDV65A-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 12A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 3.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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BDV65B

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

POWER TRANSISTOR NPN TO218

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: TO-218

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BDV65B

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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BDV65BG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 10A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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BDV65B-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 12A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 3.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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