晶體管

BDX53C

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BDX53CG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 65W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BDX53C-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDX53CTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BDX53TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 45V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BDX54A-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 8A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDX54ATU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BDX54B

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BDX54BG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 65W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BDX54B-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 8A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDX54BTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BDX54C

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 65W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BDX54C

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDX54CG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 65W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BDX54C-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDX54CTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BDX54-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 45V 8A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BDX54TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 45V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BF199,112

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.025A SOT54

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 38 @ 7mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 550MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BF259

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.1A TO-39

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 6mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: 90MHz
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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BF370,112

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 0.1A SOT54

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 400nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 500MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BF393

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BF393

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

SCR

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 900mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92

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BF393G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BF393ZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BF393ZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BF420,112

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.05A SOT54

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 25mA, 20V
• 功率-最大: 830mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BF420,116

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.05A SOT54

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 25mA, 20V
• 功率-最大: 830mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BF420-AP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 25mA, 20V
• 功率-最大: 830mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BF420ZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.05A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 25mA, 20V
• 功率-最大: 830mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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